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STRAIN GAUGES a semiconduttore

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Strain Gauges a semiconduttore

Ampia scelta di strain gauges a semiconduttore (P doped bulk silicon) con base di misura lineare, ad U, ad M e per applicazioni di misura di flessione e torsione in formato a mezzo ponte o ponte intero.

Dimensioni subminiatura dell’ordine di 0,2mm, con resistenze nominali di 500 Ohm o 1 kOhm. Terminazioni con pads a saldare o fili dorati.

Cosa sono gli strain gauge a semiconduttore

Sono un particolare tipo di estensimetro realizzato a partire da un semiconduttore su base silicio di tipo P.
Hanno la particolarità di presentare dimensioni subminiaturizzate accompagnate da una sensibilità (Gauge Factor) 50 o 100 volte superiori ad un estensimetro con griglia a resistenza.

Come funzionano gli strain gauge a semiconduttore

Forniscono una variazione della loro resistenza per effetto della deformazione applicata alla loro base attiva. Trattandosi di elementi al silicio, tipo P, garantiscono una sensibilità molto superiore a quella ottenibile con una griglia a resistenza. Vengono collegato in modalità ponte di Wheatstone con 2 o 4 rami attivi.

Le applicazioni degli strain gauge a semiconduttore

Le dimensioni miniaturizzate permettono di strumentare localmente strutture molto piccole, ad esempio membrane di sensori di pressione con diametro dell’ordine di 3mm, collocando un ponte estensimetrico completo. Vengono usati anche per misure di forze impulsive, che dovendo avvenire con elevata risposta in frequenza richiedono un’alta rigidezza della struttura che, con un normale estensimetro a resistenza non potrebbe fornire un segnale sufficientemente apprezzabile.